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전기·전자·화학

SK하이닉스 곽노정 CEO “올해 이어 내년에 생산할 HBM도 대부분 솔드아웃(Sold-out)”

회사 경영진, ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’ 주제로
기자간담회 갖고 주요 경영현황 및 미래 계획 밝혀

“HBM3E 12단 제품, 5월 샘플 출시 후 3분기 양산 돌입”

“SK하이닉스 고유 첨단패키징 공법인
‘어드밴스드 MR-MUF’, HBM고단 적층에도 최적”

“청주 M15x 이어 용인 클러스터,
미국 어드밴스드 패키징 투자 통해
급증하는 AI 메모리 수요 적기 대응“

 

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주/용인/미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

 

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

 

간담회는 곽 사장의 오프닝(Opening) 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션과 기자들과의 Q&A로 진행됐다.

 

 

“HBM3E 12단 제품, 5월 샘플 출시 후 3분기 양산 돌입”

 

곽노정 사장은 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On-Device AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "AI에 특화된 ‘초고속/고용량/저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 내다봤다.

 

곽 사장은 " 당사는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보,  앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것"이라며 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"고 했다. 

 

이어 "HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라며 "앞으로 당사는 내실 있는 ‘질적 성장’을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 ‘수익성’을 지속적으로 높여 나가는 한편,  변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 Cash 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획"이라고 강조했다. 

 

 또 "‘AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업’으로 성장, 국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠다"고 덧붙였다. 

 

 

"CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM 등 혁신적인 메모리 함께 준비"

 

먼저 김주선 사장(AI Infra 담당)은 "AI 시대에 들어서, 전세계에서 생산되는 데이터 총량은 2014년 15ZB(Zettabyte, 제타바이트)에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것"이라며 "AI 시대 반도체 산업은 구조부터 바뀌는 패러다임 전환(Paradigm shift)을 맞이하게 돼 업에 대한 새로운 접근이 필요하다"고 했다. 

 

김 사장은 "AI 메모리의 매출 비중도 급격히 늘어날 것"이라며 "2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이 2028년엔 61%에 달할 것"이라고 전망했다.

 

김 사장은 "SK하이닉스는 다양한 AI 응용처에서 기술 리더십을 확보, D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"며 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 강조했다. 

 

이어 " HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"며 "아울러 당사는 글로벌 탑티어(Top-tier) 시스템반도체, 파운드리 등 파트너들과 원팀(One team) 협업해 최고의 제품을 적시 개발, 공급하겠다"고 계획을 밝혔다. 

 

“SK하이닉스 고유 첨단패키징 공법인 
‘어드밴스드 MR-MUF’, HBM고단 적층에도 최적”

 

최우진 부사장(P&T 담당)은 "우선, SK하이닉스의 패키징 기술력에 대해 말씀 드리겠음. 당사가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술"이라며 "MR-MUF 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않으며, 우리는 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다"고 했다.

 

최 부사장은 "MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시켰다"며 "아울러 당사가 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다"고 했다.

 

이어 "결과적으로 어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온/저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중"이라며 "회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 계획을 밝혔다.

 

미국 투자와 관련해선 "당사는 지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다"며 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라고 했다.

 

또 "인디애나는 미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드(Silicon Heartland)의 주요 거점"이라며 "SK하이닉스는 이 지역에서 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고, AI 미래 산업에도 기여하겠다"고 덧붙였다. 

 

 

“청주 M15x 이어 용인 클러스터, 
미국 어드밴스드 패키징 투자 통해 
급증하는 AI 메모리 수요 적기 대응“

 

김영식 부사장(제조기술 담당)은 M15x 투자 배경 및 계획에 대해 "당사는 급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 했다"며 "M15x는 연면적 6만 3,000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며, TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다"고 했다.

 

김 부사장은 "당사는 지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 했다.

 

특히 용인 클러스터와 관련, "용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 회사 팹 56만 평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성된다"며 "SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것"이라고 했다.

 

김 부사장은 "클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중"이라며 "용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정"이라고 했다.

 

또 "아울러, 클러스터에는 미니팹도 건설할 예정이다. 그간 국내 소부장 업체는 좋은 기술 아이디어가 있어도 실제 양산 환경에 맞춘 테스트를 할 수 있는 기회가 부족해 신기술 개발과 경쟁력 확보에 어려움이 많았다"며 "미니팹에서 소부장 업체는 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있으며, 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 제공받게 된다"고 했다. 

 

김 부사장은 "약 9,000억 원이 투자되는 미니팹 프로젝트에는 SK하이닉스가 반도체 클린룸(Clean room)과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원하기로 했다"며 "SK하이닉스는 용인 클러스터를 통해 국내 반도체 생태계를 강화하고 우리나라 반도체 주도권을 더욱 공고히 하겠다"고 덧붙였다.